En un contexto global marcado por el aumento acelerado de la demanda energética —impulsada por los centros de datos de inteligencia artificial (IA), los vehículos eléctricos y otras aplicaciones de alto consumo—, onsemi ha presentado sus semiconductores de nitruro de galio vertical (vGaN). Esta nueva generación, desarrollada con tecnología GaN-on-GaN, establece un nuevo referente en densidad de potencia, eficiencia y robustez, claves para la nueva era de la electrificación y la IA.
Innovación desde Syracuse, Nueva York
Los nuevos semiconductores de potencia vGaN conducen la corriente de manera vertical a través del semiconductor, lo que permite operar a mayores voltajes y frecuencias de conmutación más altas. Esto se traduce en sistemas más pequeños, ligeros y con menores pérdidas de energía.
El desarrollo fue liderado por el equipo de I+D de onsemi en Syracuse, Nueva York, y la compañía cuenta con más de 130 patentes que abarcan procesos, arquitectura de dispositivos, fabricación y sistemas innovadores asociados a la tecnología GaN vertical. Actualmente, la empresa está ofreciendo muestras de dispositivos de 700V y 1.200V a clientes con acceso anticipado.
“Vertical GaN is a game-changer for the industry and cements onsemi’s leadership in energy efficiency and innovation. As electrification and AI reshape industries, efficiency has become the new benchmark that defines the measure of progress. The addition of vertical GaN to our power portfolio gives our customers the ultimate toolkit to deliver unmatched performance. With this breakthrough, onsemi is defining the future where energy efficiency and power density are the currency of competitiveness”, declaró Dinesh Ramanathan, vicepresidente senior de Estrategia Corporativa de onsemi.
Eficiencia energética como nuevo parámetro global
El anuncio de onsemi llega en un momento en que la energía se ha convertido en el principal factor limitante del progreso tecnológico. Desde los centros de datos de IA, que ya consumen tanta electricidad como ciudades enteras, hasta los vehículos eléctricos y las energías renovables, la necesidad de mejorar la eficiencia es urgente.
La tecnología vGaN de onsemi ha sido diseñada para manejar altos voltajes en un solo chip monolítico, superando los 1.200 voltios, y para conmutar corrientes elevadas a alta frecuencia con una eficiencia sin precedentes. Según la compañía, los sistemas de potencia basados en vGaN pueden reducir las pérdidas energéticas hasta en un 50%, disminuyendo también el calor y los costos de enfriamiento.
Además, estos dispositivos son tres veces más pequeños que los GaN laterales tradicionales, lo que los convierte en la opción ideal para aplicaciones de alta potencia que requieren alta densidad energética, rendimiento térmico superior y máxima fiabilidad.
Aplicaciones clave en múltiples industrias
El diseño vertical de GaN abre un abanico de posibilidades para diferentes sectores estratégicos:
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Centros de datos de IA: mayor densidad de potencia y reducción de componentes en convertidores DC-DC de 800V, optimizando el costo por rack.
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Vehículos eléctricos (EVs): inversores más pequeños, ligeros y eficientes que aumentan la autonomía.
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Infraestructura de carga: cargadores más rápidos, compactos y resistentes.
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Energías renovables: manejo de voltajes más altos y reducción de pérdidas en inversores solares y eólicos.
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Sistemas de almacenamiento de energía (ESS): conversión bidireccional eficiente y de alta densidad para baterías y microredes.
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Automatización industrial: motores y robots más compactos, fríos y eficientes.
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Aeroespacial, defensa y seguridad: equipos más robustos, ligeros y con mejor desempeño.
Cómo funciona la tecnología GaN-on-GaN
A diferencia de los dispositivos GaN tradicionales, construidos sobre sustratos de silicio o zafiro, el vGaN de onsemi utiliza un sustrato de GaN puro, lo que permite que la corriente fluya verticalmente a través del chip.
Este diseño ofrece mayor densidad de potencia, estabilidad térmica superior y un rendimiento confiable bajo condiciones extremas. Gracias a estas características, la tecnología vGaN supera las limitaciones de los dispositivos GaN-on-silicon y GaN-on-sapphire, proporcionando mayor capacidad de voltaje, frecuencias más altas, fiabilidad reforzada y resistencia mejorada.
El resultado son sistemas de potencia más compactos, ligeros, eficientes y económicos, con menores necesidades de enfriamiento y un costo total reducido para los fabricantes de soluciones avanzadas.
Un nuevo estándar para la era de la electrificación
Con esta innovación, onsemi consolida su liderazgo en eficiencia energética y tecnología de semiconductores de potencia, ofreciendo a sus clientes herramientas de vanguardia para afrontar la transición hacia un mundo más electrificado y digital.
El Vertical GaN no solo representa un avance técnico, sino también una respuesta estratégica ante la creciente demanda mundial de energía. onsemi prevé que esta tecnología será esencial para impulsar la próxima generación de centros de datos de IA, vehículos eléctricos, sistemas industriales inteligentes y energías renovables, reforzando su compromiso con un futuro más sostenible y eficiente.
